2011年1月12日 星期三

DRAM價Q1落底

黃崇仁︰DRAM價Q1落底〔記者洪友芳/新竹報導〕DRAM現貨價雖趨止跌,但元月上旬DRAM合約價仍續跌約 6%上下,DRAM廠第一季營運持續辛苦,各家廠商努力推進製程,以降低成本,DRAM大廠力晶(5346)昨宣佈正式展開2Gb DDR3 DRAM 40奈米製程投片量產,下半年將全面轉進40奈米世代。
DRAM現貨價已跌到低點,近期跌幅趨小,但元月上旬DRAM合約價續跌,顯示 DRAM價格尚未破底。根據集邦科技調查,1月上旬DDR3 1Gb顆粒合約均價為0.91美元,較去年12月下旬下跌約6.19%;DDR3 2Gb顆粒合約均價為1.81美元,跌幅6.7%;DDR3 2Gb模組跌幅5.56%,為17美元;DDR3 4Gb模組跌幅5.56%,為34美元。
DRAM 廠第一季營運持續辛苦,第二季也不會太好。集邦預期,本季DDR3 1Gb約跌到0.8美元價位附近可望落底;DDR3 1Gb價格恐將有3到6個月期間維持在1美元以下低水位。隨著系統廠開始準備6月出貨備料,有助拉高DRAM庫存,DRAM價格可望回升。下半年DDR3 1Gb可回升到1.2至1.3美元水準。
力晶董事長黃崇仁昨指出,DRAM將在第一季落底,景氣可望隨下游需求回升而加溫。此外,力晶自行研發的40奈米快閃記憶體開始出貨,將帶動下半年晶圓代工與自有產品業務比率上升,代工業務甚至有機會呈現產能供不應求,預估公司營運新策略的績效將逐漸顯現。
力晶因40奈米良率快速上升,公司決定大量投片生產40奈米2Gb DDR3 DRAM,逐季增加出貨,預計下半年將全面轉進40奈米世代,第四季並投入30奈米製程。

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